9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JAN1N4148UBCC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。2014年1月1日UBCC参考价格25.35000美元。Microchip Technology JAN1N4148UBCC封装/规格：DIODE GEN PURP 75V 200MA SMD。您可以下载JAN1N4148UBCC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JAN1N4148UB，带有引脚细节，包括军用MIL-PRF-19500/116系列，它们设计用于散装包装，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，具有1.42 mm的高度特征，长度设计为3.25 mm，以及2.74 mm的宽度，该设备也可以用作3-SMD，无引线封装外壳。此外，安装类型为表面安装，该设备在UB供应商设备包中提供，该设备具有小信号=速度，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为75μa@75V，电压正向Vf Max If为1.2V@100mA，电压直流反向Vr Max为75V，电流平均整流Io为200mA，反向恢复时间trr为5ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C~200°C。
JAN1N4148-1是DIODE GEN PURP 75V 200MA DO35，包括1.2V@100mA正向电压Vf Max。如果设计用于75V电压DC反向电压Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-35，提供速度特性，如小信号=，系列设计用于军用MIL-PRF-19500/116，以及20ns反向恢复时间trr，该装置也可以用作散装包装。此外，封装外壳为DO-204AH，DO-35，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为500nA@75V，电流平均整流Io为200mA，电容Vr F为4pF@0V，1MHz。
JAN1N1135DUR-1，带有电路图，包括10nA@76V电流反向泄漏Vr，它们设计为在1.7 mm直径下工作，阻抗最大Zzt如数据表注释所示，用于1600 Ohm，提供3.7 mm等长度特性，安装类型设计为在表面安装中工作，以及SMD/SMT安装类型，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，包装箱为DO-213AA，装置为散装包装，装置为军用MIL-PRF-19500/435系列，供应商装置包装为DO-213A，公差为±1%，单位重量为0.001270盎司，电压正向Vf Max If为1.1V@200mA，电压齐纳标称Vz为100V。
