9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的BAS16HTWQ-13，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BAS16HTWQ-13参考价格为0.37000美元。Diodes Incorporated BAS16HTWQ-13包装/规格：DIODE FS 100V 200MA SOT363。您可以下载BAS16HTWQ-13英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BAS16-HE3-18，带引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起使用，包装箱如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SOT-23中工作，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为1μA@75V，器件提供1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果，器件具有75V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为150mA，反向恢复时间trr为6ns，电容Vr F为4pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
BAS16HLP-7是DIODE GEN PURP 100V 215MA 2DFN，包括1.25V@150mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于X1-DFN1006-2的供应商设备包，该设备提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为4ns，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作2-UFDFN封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为500μa@80V，电流平均整流Io为215mA，电容Vr F在0V、1MHz时为1.5pF。
BAS16HLP，电路图由DIODES制造。BAS16HLP采用QFN封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
