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APT29F80J是MOSFET功率FREDFET-MOS8,包括Si技术,它们设计为以1通道数量的通道运行,配置如数据表注释所示,用于单通道,提供543W等Pd功耗功能,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-55 C,该装置也可以用作67ns的下降时间。此外,上升时间为76 ns,器件提供+/-30 V Vgs栅极-源极电压,器件具有31 a的Id连续漏极电流,Vds漏极-源极击穿电压为800 V,第Vgs栅极源极阈值电压为2.5 V,Rds漏极源极电阻为210 mΩ,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为231 ns,典型开启延迟时间为53ns,Qg栅极电荷为303nC,信道模式为增强。
APT2X100D100J是分立半导体模块快速恢复外延二极管-D,包括散装封装。
APT2X100D120J是分立半导体模块快速恢复外延二极管-D,包括散装封装。