9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V10170C-M3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V10170C-M3/4W参考价格为0.96905美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V10170C-M3/4W封装/规格：二极管阵列肖特基170V TO220。您可以下载V10170C-M3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V10150S-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 150V 10A TO220AB，包括TMBSR系列，设计用于肖特基二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管中，提供单位重量功能，如0.065257盎司，安装样式设计用于通孔，以及TMBS商品名，该设备也可以用作to-220-3包装箱。此外，该技术为Si，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-220AB，配置为单双阳极，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@150V，电压正向Vf Max If为1.2V@10A，电压反向Vr Max为150V，电流平均整流Io为10A，其工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.2 V，Ir反向电流为150 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为150 V，Ifsm正向浪涌电流为120A。
V10150SHM3/4W，带用户指南，包括1.2V@10A正向电压Vf Max。如果设计用于150V电压DC反向电压Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于to-220AB，提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。该系列设计用于汽车、AEC-Q101以及管包装，该器件也可用作TO-220-3封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型肖特基，电流反向泄漏Vr为150μa@150V，电流平均整流Io为10A。
V10150S-M3/4W带电路图，包括10A电流平均整流Io，它们设计为在150μa@150V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供安装型功能，如通孔，其工作温度结范围为-40°C~150°C，以及to-220-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-220AB，电压DC反向Vr Max为150V，电压正向Vf Max If为1.2V@10A。
V10150C-M3/4W，带有Vishay制造的EDA/CAD模型。V10150C-M3/4W采用TO-220封装，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持“肖特基二极管和整流器10A、二极管阵列1对公共阴极肖特基150V 5A通孔TO-220-3、二极管肖特基150W 10A 3引脚（3+Tab）TO-220AB管、肖特基二极管与整流器10A、150V、DUAL TRENCH SKY RECT”。。
