9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VS-201CNQ045PBF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VS-201CNQ045PBF参考价格为50.43300美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VS-201CNQ045PBF封装/规格：DIODE MOD SCHOT 45V 100A TO244AB。您可以下载VS-201CNQ045PBF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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VS-200MT40KPBF是MOD三相桥接器200A MTK，包括三相桥接器产品，它们设计用于托盘包装，数据表中显示了200MT40KPBF中使用的零件别名，该产品提供单位重量功能，如7.054792 oz，安装样式设计用于螺钉，以及30 mm高，该设备也可以用作94 mm长。此外，宽度为35mm，装置采用MT-K模块封装盒提供，装置具有安装型底盘安装，供应商装置封装为MT-K，二极管类型为三相，反向电压峰值最大值为400V，正向电流为200A，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.4V，Ir反向电流为6000uA，最大浪涌电流为1880A，峰值反向电压为400V。
VS-1N5820TR是DIODE SCHOTTKY 20V 3A DO201AD，包括475mV@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在20V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AL（DO-41）的供应商设备包，其提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有2mA@220V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为350pF@5V，1MHz。
VS-1N5820是二极管肖特基20V 3A DO201AD，包括350pF@5V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于2mA@20V，提供二极管类型功能，如肖特基，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为散装，设备提供快速恢复=200mA（Io）速度，设备具有DO-204AL（DO-41）供应商设备包，电压DC反向Vr Max为20V，电压正向Vf Max If为475mV@3A。
VS1-TBD，带有EDA/CAD模型，包括VS系列，它们设计用于多个输出，效率如数据表注释所示，用于。
