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APT29F100B2是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括卷盘封装，它们设计为采用通孔安装方式运行，数据表说明中显示了用于T-Max的封装盒，该T-Max提供Si等技术特性，配置设计为在单级工作，以及1.04 kW Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，器件的下降时间为33 ns，器件的上升时间为35 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-30 V，Id连续漏极电流为30 a，Vds漏极-源极击穿电压为1 kV，Vgs第栅极-源极端电压为4 V，Rds漏极源极电阻为440 mOhms，并且晶体管极性是N沟道，并且典型关断延迟时间是130ns，并且典型接通延迟时间是39ns，并且Qg栅极电荷是260nC，并且正向跨导Min是34S，并且沟道模式是增强。
APT29F80J是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括2.5 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-30 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于800 V，提供典型的开启延迟时间功能，如53 ns，典型的关闭延迟时间设计为231 ns，该器件还可以用作Si技术。此外，上升时间为76 ns，器件的漏极-源极电阻为210 mOhms Rds，器件的Qg栅极电荷为303 nC，Pd功耗为543 W，通道数为1通道，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，Id连续漏极电流为31 a，并且下降时间是67ns，并且配置是单一的，并且信道模式是增强的。
APT29F100L是MOSFET N-CH 1000V 30A TO264，包括Si技术。
