9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UG30APT-E3/45，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UG30APT-E3/45参考价格$2.22919。Vishay通用半导体-二极管部门UG30APT-E3/45封装/规格：二极管阵列GP 50V 30A TO3P。您可以下载UG30APT-E3/45英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UG3003-T是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-201AD，轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-201AD等供应商设备封装功能，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为950mV@3A，该器件提供200V电压DC反向Vr Max，该器件具有3A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C。
UG3004-T是DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD，包括1.25V@3A正向电压Vf Max。如果设计为在400V电压DC反向电压Vr Max下运行，则DO-201AD中使用的数据表说明中显示了供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，反向恢复时间trr设计为50ns，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作DO-201AD轴向封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
UG3005-T是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括30pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@600V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供75ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-201AD，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.7V@3A。
UG3004-A，带有DIODES制造的EDA/CAD模型。UG3004-A采用DO-201AD封装，是IC芯片的一部分。
