9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT15D100BCTG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT15D100BCTG参考价格$3.84000。Microchip Technology APT15D100BCTG封装/规格：二极管阵列GP 1000V 15A TO247。您可以下载APT15D100BCTG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如APT15D100BCTG价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
APT150GT120JR是IGBT 1200V 170A 830W SOT227，包括Thunderbolt IGBTR系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供螺丝等安装方式功能，商品名设计用于ThunderboltIGBTISOTOP，以及ISOTOP包装箱，该设备也可以用作底盘安装型。此外，供应商设备包为ISOTOPR，该设备以标准输入提供，该设备具有单一配置，最大功率为830W，集电器Ic最大值为170A，集电器发射极击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为150μa，IGBT类型为NPT，最大Vge Ic上的Vce为3.7V@15V，150A，输入电容Cies Vce为9.3nF@25V，NTC热敏电阻为No，Pd功耗为830 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为3.2 V，25 C时的连续集电极电流为170 A，且栅极发射极漏电流为900nA，且最大栅极发射极电压为+/-20V。
APT150GN60JDQ4是IGBT 600V 220A 536W SOT227，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.85V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，提供ISOTOP等商品名功能，供应商设备包设计用于ISOTOPR，以及IGBT硅模块产品，该设备也可以用作536W最大功率。此外，Pd功耗为536W，该设备采用托盘包装，该设备具有ISOTOP封装盒，NTC热敏电阻为否，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最低工作温度范围为-55 C，最高工作温度范围+175 C，最大栅极发射极电压为+/-30 V，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽场阻，栅极发射极泄漏电流为600 nA，集流器Ic最大值为220A，集流管截止电流最大值为50μA，25 C时的连续集流器电流为220 A，配置为单一，集电极-发射极电压VCEO Max为600V，集电极-发射器饱和电压为1.5V。
APT150GN60LDQ4G是IGBT 600V 220A 536W TO-264L，包括220A集流器Ic Max，它们设计为与450A集流脉冲Icm一起工作，栅极电荷如数据表注释所示，用于970nC，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入类型设计为标准工作，以及通孔安装类型，该装置也可以用作TO-264-3、TO-264AA包装箱。此外，包装为管式，该设备以536W最大功率提供，该设备具有TO-264[L]供应商设备包，开关能量为8.81mJ（开）、4.295mJ（关），25°C时的Td为44ns/430ns，测试条件为400V、150A、1 Ohm、15V，最大Vge Ic上的Vce为1.85V@15V、150A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
