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APT29F80J是MOSFET功率FREDFET-MOS8，包括Si技术，它们设计为以1通道数量的通道运行，配置如数据表注释所示，用于单通道，提供543W等Pd功耗功能，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作67ns的下降时间。此外，上升时间为76 ns，器件提供+/-30 V Vgs栅极-源极电压，器件具有31 a的Id连续漏极电流，Vds漏极-源极击穿电压为800 V，第Vgs栅极源极阈值电压为2.5 V，Rds漏极源极电阻为210 mΩ，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为231 ns，典型开启延迟时间为53ns，Qg栅极电荷为303nC，信道模式为增强。
APT2X100D20J是整流器快速恢复外延二极管-D，包括200 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V Vf正向电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于1.058219盎司，具有ISOTOP等商标特征，恢复时间设计为60 ns，以及超快恢复整流器产品，该装置也可作为SOT-227-4包装箱使用，其工作温度范围为-55 C至+175 C，该装置采用螺钉安装式，其最小工作温度范围是-55 C，最大浪涌电流为1 kA，其最大工作温度范围在+175 C之间，Ir反向电流为500 uA，如果正向电流为100 A，配置为双并行。
APT2X100D100J是分立半导体模块快速恢复外延二极管-D，包括散装封装。
APT2X100D120J是分立半导体模块快速恢复外延二极管-D，包括散装封装。
