9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的APT30DS60BG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APT30DS60BG参考价格为1.234美元。Microchip Technology APT30DS60BG封装/规格：二极管阵列GP 600V 20A TO247。您可以下载APT30DS60BG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APT30DQ60BG是DIODE GEN PURP 600V 30A TO247，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于管式包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，具有通孔等安装方式功能，工作温度范围为-55 C至+175 C，以及to-247-2包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-247[B]，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为25μa@600V，正向电压Vf Max If为2.4V@30A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为30A，反向恢复时间trr为30ns，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为2 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为25 uA，If正向电流为30 A，最大浪涌电流为320 A，恢复时间为19 ns。
APT30DQ60KG是DIODE GEN PURP 600V 30A TO220，包括600 V Vr反向电压，它们设计为在2.4V@30A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于600V的直流反向Vr Max，提供2 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.211644盎司，以及to-220[K]供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，反向恢复时间trr为30ns，该设备提供19 ns恢复时间，该设备具有产品的超快恢复整流器，包装为管，包装箱为TO-220-2，其工作温度范围为-55℃至+175℃，工作温度接头范围为-55℃至175℃，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为320 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为25 uA，如果正向电流为30 A，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为25μA@600V，电流平均整流Io为30 A。
APT30DS20HJ，带电路图，包括45A直流正向电流（如果最大值），它们设计为与单相肖特基二极管类型一起工作，安装类型如数据表注释所示，用于提供SOT-227-4、miniBLOC等封装外壳功能的螺柱底座，封装设计为批量工作，以及SOT-227供应商设备封装，该器件还可以用作200V电压峰值反向最大值。
