9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NRVUB1620CTRT4G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NRVUB1620CTRT4G参考价格为1.53038美元。onsemi NRVUB1620CTRT4G包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 8A D2PAK-3。您可以下载NRVUB1620CTRT4G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NRVTSM245ET3G带有引脚细节，包括汽车、AEC-Q101系列，它们设计为使用磁带和卷轴（TR）替代包装包装，数据表说明中显示了DO-216AA中使用的包装箱，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在Powermite中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为75μA@45V，该器件提供650mV@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有45V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2.2A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
带有用户指南的NRVTSM260ET1G，包括650mV@2A电压正向Vf Max。如果设计为在60V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于Powermite的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装包装外，该器件还可以用作DO-216AA封装盒，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为12μa@60V，电流平均整流Io为2A。
带有电路图的NRVTSM260ET3G，包括2A电流平均整流Io，它们设计为在12μa@60V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-216AA封装外壳，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的Powermite，电压DC反向Vr Max为60V，电压正向Vf Max If为650mV@2A。
NRVUB1620CTR4带有ON制造的EDA/CAD模型。NRVUB1620 CTR4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
