9icnet为您提供由onsemi设计和生产的SBAS21DW5T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBAS21DW5T3G参考价格为0.07000美元。onsemi SBAS21DW5T3G包装/规格：二极管阵列250V 200MA SC88A。您可以下载SBAS21DW5T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBAS20LT1G是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOT23，包括Digi-ReelR替代包装包装，它们设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如SOT-23，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可以用作100nA@150V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1.25V@200mA，该器件提供200V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA（DC）电流平均整流Io，反向恢复时间trr为50ns，电容Vr F为5pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
SBAS20HT1G是DIODE GEN PURP 200V 200MA SOD323，包括1.25V@200MA电压正向Vf Max。如果它们设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-323的供应商设备包，该SOD-323提供速度特性，如小信号=、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作SC-76、SOD-323封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电流平均整流Io为200mA（DC），并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
SBAS16XV2T1G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SOD523，包括2pF@0V，1MHz电容Vr F，它们设计用于200MA（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@75V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可用作SC-79、SOD-523封装盒。此外，该包装为Digi-ReelR替代包装，该设备以6ns反向恢复时间trr提供，该设备具有小信号=速度，供应商设备包装为SOD-523，电压DC反向Vr Max为75V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA。
SBAS16WT1G是DIODE GEN PURP 75V 200MA SC70，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于表面安装安装型，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供速度特性，如小信号=，封装外壳设计用于SC-70、SOT-323以及SC-70供应商设备封装，该器件还可以用作75V电压DC反向Vr最大值。此外，反向恢复时间trr为6ns，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件具有2pF@0V，1MHz电容Vr F，电流平均整流Io为200mA，电流反向泄漏Vr为1μa@75V，电压正向Vf Max If为1.25V@150mA。
