9icnet为您提供由Littelfuse股份有限公司设计和生产的DSTB30200C，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。DSTB30200C参考价格为1.71359美元。Littelfuse股份有限公司DSTB30200C封装/规格：二极管阵列SCHOTTKY 200V TO-263。您可以下载DSTB30200C英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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STB28NM60ND带有引脚细节，包括N通道MDmesh系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.13932盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，包装盒设计用于to-252-3以及Si技术，该设备也可用于1通道数的通道。此外，该配置是单一的，该器件以1 N沟道晶体管类型提供，该器件具有190 W的Pd功耗，下降时间为27 ns，上升时间为21.5 ns，Vgs栅极-源极电压为25 V，Id连续漏极电流为23 a，Vds漏极-源极击穿电压为650 V，第Vgs栅极源极阈值电压为4 V，Rds漏极-源极电阻为150m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为92ns，典型接通延迟时间为23.5ns，Qg栅极电荷为62.5nC。
带有用户指南的STB30100TR，包括750mV@30A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，则数据表说明中显示了D2PAK中使用的供应商设备包，该设备包提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能。包装设计为在Digi-ReelR备用包装中工作，以及to-263-3、D2PAK（2引线+标签），TO-263AB包装箱，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有1mA@100V的反向漏电Vr。
STB2N60T4带有ST制造的电路图。STB2N60 T4采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
STB3015L带有ST制造的EDA/CAD模型。STB3015L采用TO-263封装，是IC芯片的一部分。
