9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N6674R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N6674R参考价格32.1美元。Microchip Technology JATX1N6674R封装/规格：DIODE GEN PURP 500V 15A D5D。您可以下载JATX1N6674R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N6662是DIODE GEN PURP 400V 500MA DO35，包括军用MIL-PRF-19500/587系列，它们设计用于散装包装，数据表注释中显示了用于DO-204AH、DO-35、轴向的包装箱，提供安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计用于DO-35，以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为50nA@400V，设备提供的电压为1V@400mA正向电压Vf Max。如果设备具有400V直流反向电压Vr Max，电流平均整流Io为500mA，则其工作温度结范围为-65°C~175°C。
JATX1N6661US带有用户指南，其中包括1V@400mA电压正向Vf Max。如果设计用于225V电压直流反向Vr Max，则供应商设备包如数据表注释所示，用于D-5A，提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io）。该系列设计用于军用MIL-PRF-19500/587，以及散装包装，该器件也可作为SQ-MELF封装盒使用，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为50nA@225V，电流平均整流Io为500mA。
JATX1N6663是DIODE GEN PURP 600V 500MA DO35，包括500MA电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作50nA，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供安装类型特征，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AH、DO-35，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，该系列为军用MIL-PRF-19500/587，该设备提供快速恢复=20mA（Io）速度，该设备具有DO-35供应商设备包，直流反向电压Vr Max为600V，正向电压Vf Max If为1V@400mA。
