9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MI3060C-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MI3060C-E3/4W参考价格$17.066。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MI3060C-E3/4W封装/规格：二极管阵列肖特基60V TO262AA。您可以下载MI3060C-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MI3035S-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 35V 30A TO220AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于管式封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.050795盎司，提供安装类型功能，如通孔，封装盒设计用于to-220-3，以及Si技术，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为TO-220AB，该设备采用单双阳极配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为200μa@35V，电压正向Vf Max If为700mV@30A，电压直流反向Vr Max为35V，电流平均整流Io为30A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.7 V，Ir反向电流为200 uA，如果正向电流为30 A，Vrm重复反向电压为35 V，Ifsm正向浪涌电流为200 A。
MI3045S-E3/4W是DIODE SCHOTTKY 45V 30A TO220AB，包括45V Vrm重复反向电压，设计用于700mV@30A电压正向Vf Max If，电压DC反向Vr Max如数据表注释所示，用于45V，提供0.7 V等正向电压特性，单位重量设计用于0.050795盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-220AB供应商设备包。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件为肖特基整流器产品，该器件具有一个封装管，封装盒为TO-220-3，其工作温度结范围为-65°C~150°C，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-65C，它的最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为200 uA，Ifsm正向浪涌电流为200 A，如果正向电流为30 A，二极管类型为肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为200μA@45V，电流平均整流Io为30 A。配置为单双阳极。
MI3050HAH-44.928MHZ T&R，电路图由CRY制造。是IC芯片的一部分。
