9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的V12W60C-M3/I，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。V12W60C-M3/I参考价格为39.10882美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division V12W60C-M3/I封装/规格：DIODE SCHOTTKY 12A 60V DPAK。您可以下载V12W60C-M3/I英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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V12RA8是VARISTOR 9V 150A ENCASED，包括RA系列，它们设计用于MOV产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供通孔等终端式功能，安装设计用于径向，其工作温度范围为-55 C至+125 C，该设备也可用作径向盒式包装箱。此外，电容为2500 pF，该器件为通孔安装型，该器件有1个电路，直径为8mm，压敏电阻最小电压为9V，压敏电阻电压类型为12.5V，压敏电阻器最大电压为16V，电流浪涌为150A，最大交流电压为6VAC，最大直流电压为8VDC，能量为0.60J，AC额定电压为6 VAC，DC额定电压为8 VDC，钳位电压为34 V，峰值浪涌电流为150 A。
V12PM12-M3/86A是DIODE SCHOTKY 12A 120V TO-277AC，包括800mV@12A电压正向Vf Max。如果设计为在120V电压直流反向Vr Max下工作，则供应商设备包如数据表注释所示，用于TO-277A（SMPC），提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR、TMBSR、，除了磁带和卷轴（TR）交替包装外，该器件还可以用作TO-277、3功率DFN封装盒，其工作温度结范围为-40°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管肖特基型，电流反向泄漏Vr为500μa@120V，电流平均整流Io为12A。
V12PM12-M3/87A是二极管肖特基12A 120V TO-277AC，包括12A电流平均整流Io，它们设计为在500μa@120V电流反向泄漏Vr下工作。二极管类型如数据表说明所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-40°C ~ 150°C，以及TO-277，3-PowerDFN包装箱，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，该系列为AEC-Q101汽车系列，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-277A（SMPC），电压DC反向Vr Max为120V，电压正向Vf Max If为800mV@12A。
V12RA8X2749是VARISTOR 9V 150A ENCASED，包括通孔安装型，设计用于径向盒式包装箱，系列如数据表注释所示，用于RA，提供散装、压敏电阻最小电压设计用于9V以及8VDC最大直流电压等包装功能，该设备也可用于6VAC最大交流电压。此外，压敏电阻电压最大值为16V，该设备提供150A电流浪涌，该设备具有12.5V的压敏电阻电压类型，电路数量为1，能量为0.60J。
