9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的UH4PDCHM3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。UH4PDCHM3_A/H价格参考1.006美元。Vishay通用半导体-二极管事业部UH4PDCHM3_A/H封装/规格：二极管阵列GP 4A 200V TO277A。您可以下载UH4PDCHM3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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UH4PCCHM3_A/H，带引脚细节，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计为与磁带和卷轴（TR）交替包装一起工作，数据表注释中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在to-277A（SMPC）中工作，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@150V，该器件提供1.05V@2A电压正向Vf Max。如果，该器件具有150V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2A，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为21pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
UH4PCCHM3_A/I带用户指南，包括1.05V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR以及25ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为21pF@4V，1MHz。
UH4PBC-M3/86A是二极管阵列GP 100V 2A TO277A，包括双共阴极配置，它们设计为在4 a下工作。如果数据表注释中显示了用于5 uA的正向电流、Ir反向电流，其最大工作温度范围为+175 C，最大浪涌电流设计为在40 a下工作，其最小工作温度范围是-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，包装箱为SMPC，该设备采用卷筒包装，该设备具有产品的超快恢复整流器，恢复时间为25纳秒，在2A时Vf正向电压为1.05 V，Vr反向电压为100 V。
UH4PCC-M3/86A是DIODE ARRAY GP 150V 2A TO277A，包括超快恢复整流器产品，它们设计用于SMPC封装盒，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该产品提供了卷盘等封装功能，配置设计用于双共阴极，以及5 uA Ir反向电流，该器件也可以用作40A最大浪涌电流。此外，如果正向电流为4 A，设备在25 ns恢复时间内提供，设备具有150 V的Vr反向电压，2 A时Vf正向电压为1.05 V，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-55 C。
