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UG1D-M3/73，带引脚细节，包括磁带盒（TB）替代封装，设计用于DO-204AL、DO-41、轴向封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供供应商设备封装功能，如DO-204AL（DO-41），速度设计用于快速恢复=20mA（Io），以及标准二极管类型，该器件还可以用作5μA@200V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为950mV@1A，该器件提供200V电压DC反向Vr Max，该器件具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为25ns，电容Vr F为7pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
UG2002-T是DIODE GEN PURP 100V 2A DO15，包括1V@2A电压正向Vf Max。如果设计为在100V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-15中使用的供应商设备包，该DO-15提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为在50ns内运行，以及磁带和卷轴（TR）封装，该器件也可以用作DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@100V，电流平均整流Io为2A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz。
UG2003-T是DIODE GEN PURP 200V 2A DO15，包括30pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于2A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件也可以用作DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供50ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-15，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1V@2A。
UG2001-T是DIODE GEN PURP 50V 2A DO15，包括通孔安装型，它们设计用于带卷（TR）封装，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，包装盒设计用于DO-204AC、DO-15、轴向以及DO-15供应商设备包，该器件也可以用作5μA@50V电流反向泄漏Vr，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件提供50V电压DC反向Vr Max，该器件具有50ns反向恢复时间trr，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，电流平均整流Io为2A，电压正向Vf Max If为1V@2A。
