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冷却SiC™ 第5代代表了Infineon领先的SiC肖特基势垒二极管技术。由于更紧凑的设计和薄晶圆技术，新系列产品在所有负载条件下都表现出了更高的效率，这是由于热特性的改善和品质因数（Q c x V f）的降低。
新型CoolSiC™ 第5代旨在补充我们的650V CoolMOS™ 系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | IDW30C65D1XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 标准 二极管架构（配置）: 1对公共阴极 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 单二极管整流平均值 (Io): 15A 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作结温: -40摄氏度~175摄氏度 | ¥26.96242 |
 | IDW15G120C5BFKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 二极管架构（配置）: 1对公共阴极 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 单二极管整流平均值 (Io): 24A（直流） 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥44.65827 |
 | IDW30G120C5BFKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 二极管架构（配置）: 1对公共阴极 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 单二极管整流平均值 (Io): 44A (DC) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥141.55741 |
 | IDW40G120C5BFKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 二极管架构（配置）: 1对公共阴极 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 单二极管整流平均值 (Io): 55A (DC) 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥142.82999 |
 | IDW12G65C5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 12A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥49.61387 |
 | IDW40G65C5XKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 40A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥70.90799 |
 | IDW40E65D1FKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 标准 最大直流反向电压 (Vr): 650 V 整流平均值 (Io): 80A 反向恢复时长 (trr): 129纳秒 供应商设备包装: PG-TO247-3-1 工作结温: -40摄氏度~175摄氏度 | ¥14.57634 |
 | IDW10S120FKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 10A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: PG-TO247-3-41 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥48.67229 |
 | IDW15S120FKSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 二极管种类: 碳化硅肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 1200伏 整流平均值 (Io): 15A (DC) 反向恢复时长 (trr): 0纳秒 供应商设备包装: PG-TO247-3 工作结温: -55摄氏度~175摄氏度 | ¥71.84957 |
 | IDW30C65D1 | 英飞凌 (Infineon) | ¥7.94619 |
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
