9icnet为您提供由Infineon Technologies设计和生产的IDW20S120FKSA1，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IDW20S120FKSA1参考价格为15.15000美元。Infineon Technologies IDW20S120FKSA1包装/规格：DIODE SCHOTTKY 1200V 10A TO247-3。您可以下载IDW20S120FKSA1英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IDW20G65C5是二极管肖特基650V 20A TO247-3，包括thinQ！？系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管中，该管提供零件别名功能，如IDW20G65C5FKSA1 IDW20G6 5C5XK SP000937050，单位重量设计为1.340411盎司，以及通孔安装样式，该设备也可以用作to-247-3包装盒。此外，该技术为SiC，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的PG-TO247-3，配置为单一，速度为无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为700μa@650V，电压正向Vf Max If为1.7V@20A，电压DC反向Vr Max为650V，电流平均整流Io为20A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为590pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，Pd功耗为112W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，且Vf正向电压为1.5V，且Vr反向电压为650V，且Ir反向电流为210uA，且如果正向电流为20A，且Vrm重复反向电压为650 V，且Ifsm正向浪涌电流为103 A。
IDW20G120C5BFKSA1是肖特基二极管和整流器SIC CHIP/DISCRETE，包括1.2 kV Vrm重复反向电压，它们设计用于1.2 kV Vr反向电压，Vf正向电压显示在数据表注释中，用于1.4 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，技术设计用于SIC，以及肖特基碳化硅二极管产品，该器件也可以用作250W Pd功率耗散。此外，零件别名为IDW20G120C5B SP001020716，该设备采用管式封装，该设备具有TO-247-3封装外壳，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Ir反向电流为12 uA，Ifsm正向浪涌电流为190 a，并且如果正向电流为20A，并且配置为双阳极公共阴极。
IDW20G65C5FKSA1是肖特基二极管和整流器SIC二极管，包括20 A Ifsm正向电流，设计用于103 A Ifsm正向浪涌电流，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，安装方式设计用于通孔，以及to-247-3封装盒，该装置也可以用作管包装。此外，零件别名为IDW20G65C5 IDW20G6 5C5XK SP000937050，该器件提供112 W Pd功耗，该器件具有肖特基碳化硅二极管产品，系列为IDW20 G65，技术为SiC，单位重量为1.340411盎司，Vf正向电压为1.7 V，Vrm重复反向电压为650 V。
IDW20G65C5BXKSA1带有EDA/CAD型号，包括管包装，它们设计用于to-247-3包装箱，零件别名如数据表注释所示，用于IDW20G6 5C5B SP001224934。
