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IDW30G65C5是二极管肖特基650V 30A TO247-3，包括thinQ！？系列，它们设计用于肖特基碳化硅二极管产品，包装如数据表注释所示，用于管，提供零件别名功能，如IDW30G65C5FKSA1 IDW30G6 5C5XK SP000937052，单位重量设计为1.340411盎司，以及通孔安装样式，该设备也可作为to-247-3包装盒使用。此外，该技术为SiC，该器件为通孔安装型，该器件具有供应商器件封装的PG-TO247-3，配置为单一，速度为无恢复时间>500mA（Io），二极管类型为碳化硅肖特基，电流反向泄漏Vr为1.1mA@650V，电压正向Vf Max If为1.7V@30A，电压DC反向Vr Max为650V，电流平均整流Io为30A（DC），反向恢复时间trr为0ns，电容Vr F为860pF@1V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~175°C，Pd功耗为150W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，且Vf正向电压为1.5V，且Vr反向电压为650V，且Ir反向电流为220uA，且如果正向电流为30A，且Vrm重复反向电压为650 V，且Ifsm正向浪涌电流为165 A。
IDW30G120C5BFKSA1是肖特基二极管和整流器SIC CHIP/DISCRETE，包括1.2 kV Vrm重复反向电压，它们设计用于1.2 kV Vr反向电压，Vf正向电压显示在数据表注释中，用于1.4 V，提供单位重量功能，如1.340411盎司，技术设计用于SIC，以及肖特基碳化硅二极管产品，该器件也可以用作332W Pd功率耗散。此外，零件别名为IDW30G120C5B SP001123716，该设备采用管式封装，该设备具有TO-247-3封装外壳，安装方式为通孔，其最低工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为17 uA，Ifsm正向浪涌电流为240 a，并且如果正向电流为30A，并且配置为双阳极公共阴极。
IDW30E65D1FKSA1，带电路图，包括60A电流平均整流Io，它们设计为在650V电流反向泄漏Vr下工作40μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装型功能，如通孔，工作温度结范围为-40°C~175°C，以及to-247-3封装外壳，该装置也可以用作管包装。此外，反向恢复时间trr为115ns，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有供应商设备包的TO-247-3，电压DC反向Vr Max为650V，电压正向Vf Max If为1.7V@30A。
IDW30G65C5FKSA1是肖特基二极管和整流器SIC二极管，包括管封装，它们设计用于to-247-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供SIC等技术特性，产品设计用于肖特基碳化硅二极管，以及IDW30G6 5C5XK SP000937052零件别名，该设备也可以用作IDW30G65系列。此外，Vrm重复反向电压为650 V，设备提供30 A的正向电流，设备具有165 A的Ifsm正向浪涌电流，Pd功耗为150 W，单位重量为1.340411盎司。
