9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB20200G-E3/4W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB20200G-E3/4W参考价格为0.83721美元。Vishay通用半导体-二极管分部VB20200G-E3/4W封装/规格：二极管阵列肖特基200V TO263。您可以下载VB20200G-E3/4W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB20150S-M3/8W，带引脚细节，包括磁带和卷轴（TR）替代包装包装，它们设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AB包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备包功能，如to-263AA，速度设计用于快速恢复=20mA（Io），与肖特基二极管类型一样，该器件也可以用作250μA@150V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.43V@20A，该设备提供150V电压直流反向Vr Max，该设备具有20A电流平均整流Io，其工作温度结范围为-55°C~150°C。
VB20200C-E3/4W是肖特基二极管和整流器，20安培200伏双沟道MOS，包括200 V Vrm重复反向电压，它们设计为在10 a Vf正向电压下工作1.6 V，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供TMBS等商品名功能，技术设计用于硅，以及肖特基整流器产品，该装置也可以用作管包装。此外，封装外壳为D2PAK（TO-263AB），该器件为SMD/SMT安装型，其最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为150 uA，Ifsm正向浪涌电流为120 A，If正向电流为20 A，配置为双公共阴极。
VB20200C-E3/8W是二极管阵列肖特基200V TO263，包括双公共阴极配置，它们设计为在20 a下工作。如果正向电流，Ifsm正向浪涌电流如数据表注释所示，用于120 a，提供Ir反向电流功能，例如150 uA，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-40℃，该器件也可以用作SMD/SMT安装型。此外，包装箱为D2PAK（TO-263AB），该设备采用卷筒包装，该设备具有肖特基产品整流器，技术为Si，商品名为TMBS，单位重量为0.048678盎司，10 a时的Vf正向电压为1.6 V，Vrm重复反向电压为200 V。
