9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SBLB1630CTHE3/81，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SBLB1630CTHE3/81参考价格为0.386美元。Vishay General Semiconductor-二极管部门SBLB1630CTHE3/81封装/规格：二极管阵列肖特基30V TO263AB。您可以下载SBLB1630CTHE3/81英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SBLB10L30-E3/81是DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB，包括肖特基整流器产品，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.048678盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-263-3、D2Pak（2引线+标签）、to-263AB、，该器件也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为TO-263AB，该设备采用单双阴极配置，该设备速度快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@30V，电压正向Vf Max If为520mV@10A，电压直流反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为10A，它的工作温度结范围为-65°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-65°C，Vf正向电压为0.52 V，Ir反向电流为1000 uA，如果正向电流为10 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为200 A。
SBLB10L30HE3/81是DIODE SCHOTTKY 30V 10A TO263AB，包括30 V Vrm重复反向电压，它们设计为以520mV@10A正向电压Vf Max运行。如果数据表注释中显示了用于30V的直流反向电压Vr Max，该电压提供了0.52 V等正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及Si技术，该设备也可以用作TO-263AB供应商设备包。此外，速度为快速恢复=20mA（Io），该器件采用肖特基整流器产品，该器件具有胶带和卷轴（TR）交替封装，封装外壳为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB，其工作温度结范围为-65°C ~ 150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，它的最小工作温度范围为-65℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为1000 uA，Ifsm正向浪涌电流为200 A，如果正向电流为10 A，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为1mA@30V，电流平均整流Io为10A，配置为单双阴极。
SBLB10L30HE3/45是二极管肖特基30V 10A TO263AB，包括单双阴极配置，它们设计用于10A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1mA@30V，提供二极管类型功能，如肖特基，如果正向电流设计为10A，以及200A Ifsm正向浪涌电流，该器件也可以用作1000 uA Ir反向电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-65 C，该器件具有安装类型的表面安装，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-65°C~150°C，封装盒为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB、，包装为管交替包装，产品为肖特基整流器，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为TO-263AB，技术为Si，单位重量为0.048678 oz，Vf正向电压为0.52V，电压DC反向Vr Max为30V，电压正向Vf Max If为520mV@110A，Vrm重复反向电压为30V。
SBLB1630CT带有GS制造的EDA/CAD型号。SBLB1630CTTO-263封装，是二极管、整流器阵列的一部分。
