9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的VB20150C-M3/8W，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。VB20150C-M3/8W参考价格为0.86939美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division VB20150C-M3/8W封装/规格：DIODE SCHOTTKY 20A 150V TO-263AB。您可以下载VB20150C-M3/8W英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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VB20120SG-E3/8W是DIODE SCHOTTKY 120V 20A TO263AB，包括TMBSR系列，它们设计用于肖特基整流器产品，包装如数据表说明所示，用于磁带和卷轴（TR）替代包装，提供单位重量功能，如0.048678盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及TMBS商标，该设备也可以用作TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AB封装盒。此外，该技术为Si，该器件为表面安装安装型，该器件具有供应商器件封装的TO-263AB，配置为单一，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为250μa@120V，电压正向Vf Max If为1.33V@20A，电压反向Vr Max为120V，电流平均整流Io为20A，工作温度结范围为-40°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，Vf正向电压为1.33 V，Ir反向电流为250 uA，如果正向电流为20 A，Vrm重复反向电压为120 V，Ifsm正向浪涌电流为150A。
VB20120SG-E3/4W是DIODE SCHOTKY 120V 20A TO263AB，包括120 V Vrm重复反向电压，它们设计为在1.33V@20A电压正向Vf Max下工作。如果数据表中显示了用于120V的电压直流反向Vr Max，它提供了1.33 V的正向电压特性，单位重量设计为0.048678盎司，以及TMBS商标，该器件也可以用作Si技术。此外，供应商设备包装为TO-263AB，该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有系列TMBSR，产品为肖特基整流器，包装为管交替包装，包装箱为TO-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、TO-263AA，其工作温度结范围为-40°C~150°C，安装类型为SMD/SMT，安装类型为表面安装，最小工作温度范围为-40℃，最大工作温度范围+150℃，Ir反向电流为250 uA，Ifsm正向浪涌电流为150 A，如果正向电流为20 A，二极管类型为肖特基，反向泄漏电流Vr为250μA@120V，电流平均整流Io为20A，配置为单一。
带电路图的VB20120SG-M3/8W，包括20A电流平均整流Io，它们设计为在250μa@120V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于肖特基，提供表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~150°C，以及to-263-3、D2Pak（2引线+接线片），TO-263AB包装箱，该设备也可以用作胶带和卷轴（TR）替代包装包装。此外，速度快速恢复=200mA（Io），该设备在TO-263AB供应商设备包中提供，该设备具有120V直流反向电压Vr Max，正向电压Vf Max If为1.33V@20A。
VB20120SG-M3/4W，带EDA/CAD模型，包括管交替封装，它们设计为与to-263AB供应商设备包一起运行，数据表说明中显示了用于to-263-3、D2Pak（2引线+接线片）、to-263AA的封装盒，该封装盒提供了表面安装等安装类型功能，以及快速恢复=20mA（Io）速度，其工作温度结范围为-55°C~150°C。此外，电流反向泄漏Vr为250μA@120V，该器件提供20A电流平均整流Io，该器件具有120V电压DC反向Vr Max，电压正向Vf Max If为1.33V@20A。
