9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4007GP-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4007GP-E3/73参考价格为10.55000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4007GP-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL。您可以下载1N4007GP-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N4007GP-E3/54是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供零件别名功能，如1N4007GP E3/73，单位重量设计为0.010935盎司，以及通孔安装样式，该装置也可以用作DO-204AL、DO-41、轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-204AL（DO-41）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为1000 V，并且Ir反向电流为5uA，并且如果正向电流为1A，则最大浪涌电流为30A，并且恢复时间为2000ns。
1N4007GP-E3/53是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AL，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为0.010935盎司，以及DO-204AL（DO-41）供应商设备包，该设备也可用于标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列是SUPERCTIFIERR，该设备提供2μs反向恢复时间trr，该设备具有2000 ns的恢复时间，产品为标准恢复整流器，包装为磁带盒（TB），包装箱为DO-204AL、DO-41、轴向，其工作温度结合范围为-65°C~175°C，安装方式为通孔，安装类型为通孔，其最小工作温度范围为-65 C，最大浪涌电流为30 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，反向泄漏电流Vr为5μA@1000V，平均整流电流Io为1A，并且配置为Single，电容Vr F为8pF@4V，1MHz。
1N4007GP是DIODE GEN PURP 1KV 1A DO41，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@1000V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-55°C~175°C的工作温度结范围，该装置也可用于DO-204AL、DO-41、轴向封装外壳。此外，包装为磁带和卷轴（TR），该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-41供应商设备包，直流反向电压Vr最大值为1000V（1kV），正向电压Vf最大值为1.1V@1A。
