9icnet为您提供由Micro Commercial Co设计和生产的SK86L-TP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SK86L-TP价格参考0.74000美元。Micro Commercial Co SK86L-TP包装/规格：DIODE SCHOTTKY 60V 8A DO214AB。您可以下载SK86L-TP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如SK86L-TP价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
SK8603190L是MOSFET N-CH 30V 12A 8HSO，包括SK8系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为1信道，该设备在8-HSO供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，FET类型为MOSFET N信道，金属氧化物，最大功率为2.7W，晶体管类型为1 N信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为1092pF@10V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为12A（Ta），19A（Tc），最大Id Vgs的Rds为10mOhm@8A，10V，Vgs的最大Id为3V@1.01mA，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@4.5V，Pd功耗为19W，最大工作温度范围为+85 C，最小工作温度范围-40 C，下降时间为4 ns，上升时间为3 ns，并且Id连续漏极电流为16A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs栅极-源极阈值电压为1V至3V，Rds导通漏极-漏极电阻为10mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为34ns，典型导通延迟时间为7ns，Qg栅极电荷为6.3nC。
SK86C是TSC制造的“肖特基二极管和整流器8A”。SK86C采用SMC封装，是IC芯片的一部分，并支持肖特基二极管与整流器8A、肖特基二极管及整流器8A、60V、SMD肖特基整流器。
SK86L是MCC制造的二极管肖特基60V 8A 2引脚SMC。SK86L采用SMC封装，是二极管、整流器-单体的一部分，并支持二极管肖特基60V 8A 2引脚SMC。
