9icnet为您提供由Rohm Semiconductor设计和生产的RB522ES-30T15R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。RB522ES-30T15R参考价格0.28000美元。Rohm Semiconductor RB522ES-30T15R封装/规格：肖特基势垒二极管ULTRA SMA。您可以下载RB522ES-30T15R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如RB522ES-30T15R价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
RB521CS-30T2R是DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2，包括肖特基二极管产品，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于SMD/SMT，提供封装外壳功能，如2-SMD、扁平引线，技术设计为在Si中工作，以及表面安装安装类型，该设备也可以用作VMN2供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备以小信号=速度提供，该设备具有二极管型肖特基二极管，电流反向泄漏Vr为10μa@10V，电压正向Vf Max If为350mV@10mA，电压反向Vr Max为30V，电流平均整流Io为100mA，其工作温度结范围为150°C（最大值），其最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，Vf正向电压在0.01 A时为0.35 V，Ir反向电流在10 V时为10 uA，If正向电流为0.1 A，Vrm重复反向电压为30 V，Ifsm正向浪涌电流为0.5 A。
RB521CS-30T2RA是DIODE SCHOTTKY 30V 100MA VMN2，包括30 V Vrm重复反向电压，它们设计为在30 V Vr反向电压下工作，正向电压Vf Max If如数据表注释所示，用于350mV@10mA，提供电压DC反向Vr Max功能，如30V，正向电压设计为在350 mV下工作，以及Si技术，该设备也可以用作VMN2供应商设备包。此外，速度快恢复=200mA（Io），该器件采用肖特基二极管产品，该器件具有Digi-ReelR交替封装，封装外壳为2-SMD，扁平引线，工作温度结范围为150°C（最大值），安装类型为SMD/SMT，安装类型是表面安装，最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为10 uA，Ifsm正向浪涌电流为500 mA，If正向电流为100 mA，二极管类型为肖特基，电流反向泄漏Vr为10μA@10V，电流平均整流Io为100 mA。
RB521CS-30T5G带有ON制造的电路图。RB521CS-30-T5G采用SOD923封装，是IC芯片的一部分。
