9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的1N3595US，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3595美国参考价格9.90000美元。Microchip Technology 1N3595US包装/规格：DIODE GEN PURP 4A B-MELF。您可以下载1N3595US英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3595TR是DIODE GEN PURP 150V 200MA DO35，包括切割胶带（CT）替代包装包装，它们设计用于DO-204AH、DO-35、轴向包装盒，安装类型如数据表注释所示，用于通孔，提供DO-35等供应商设备包装功能，速度设计用于小信号=，以及标准二极管类型，该器件也可用作1nA@125V电流反向泄漏Vr。此外，正向电压Vf Max If为1V@200mA，该器件提供150V电压DC反向Vr Max，该器件具有200mA的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为8pF@0V，1MHz，其工作温度结范围为175°C（最大值）。
1N3595-1是DIODE GEN PURP 125V 150MA DO35，包括1V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为在125V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包，该DO-35提供速度特性，如小信号=，反向恢复时间trr设计为在3μs内工作，该器件也可以用作DO-204AH、DO-35、轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件为通孔安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为1nA@125V，电流平均整流Io为150mA（DC）。
1N3595UR-1是DIODE GEN PURP 125V 150MA DO213，包括150MA（DC）电流平均整流Io，它们设计为在125V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-213AA包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为3μs，该设备以小信号=速度提供，该设备具有供应商设备包的DO-213AA，电压DC反向Vr Max为125V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
