9icnet为您提供由GeneSiC Semiconductor设计和生产的1N3768R，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3768R参考价格为11.13000美元。GeneSiC半导体1N3768R封装/规格：DIODE GEN PURP REV 1KV 35A DO5。您可以下载1N3768R英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N3767R是DIODE GEN PURP REV 900V 35A DO5，包括1N3767系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如1.005308 oz，安装样式设计用于螺柱，以及DO-203AB、DO-5螺柱包装箱，该设备也可以用作底盘，螺柱安装安装类型。此外，供应商设备包为DO-5，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有标准二极管型反向极性，电流反向泄漏Vr为10μa@50V，正向电压Vf Max If为1.2V@35A，直流反向电压Vr Max为900V，电流平均整流Io为35A，其工作温度结范围为-65°C~190°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为900 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为35 A，最大浪涌电流为475 A。
1N3768是DIODE GEN PURP 1KV 35A DO5，包括1000 V Vr反向电压，它们设计为在1.2V@35A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于1000 V（1KV）的电压直流反向Vr Max，提供1.1 V等Vf正向电压特性，单位重量设计为1.005308盎司，以及DO-5供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为1N3768，该装置为标准回收整流器产品，该装置具有大量包装，包装箱为DO-203AB、DO-5、螺柱，其工作温度结范围为-65°C~190°C，安装方式为螺柱，安装类型为底盘、螺柱安装，最大浪涌电流为475 a，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为35A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@50V，电流平均整流Io为35A。
1N3767是DIODE GEN PURP 900V 35A DO5，包括35A电流平均整流Io，它们设计为在10μa@50V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，该标准提供了如35A、Ir反向电流等正向电流功能，设计为在10uA下工作，以及475 a最大浪涌电流，该设备也可以用作底盘、螺柱安装型。此外，安装类型为螺柱，其工作温度连接范围为-65°C~190°C，装置具有DO-203AB、DO-5、包装箱螺柱，包装为散装，产品为标准回收整流器，系列为1N3767，速度为标准回收>500ns，>200mA（Io），供应商装置包装为DO-5，单位重量为1.005308盎司，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为900V，电压正向Vf Max If为1.2V@35A，Vr反向电压为900V。
