9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE30AFJHM3/6A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE30AFJHM3/6A参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE30AFJHM3/6A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1.4A DO221AC。您可以下载SE30AFJHM3/6A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE30AFG-M3/6A是DIODE GEN PURP 400V 3A DO221AC，包括标准回收整流器产品，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装。数据表注释中显示了用于SE30AFGHM3/6A SE30AFGHM3/6B的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.001129盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SlimSMA商品名，该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-221AC（SlimSMA）供应商设备包中提供，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电压正向Vf Max If为1.1V@3A，电压直流反向Vr Max为400V，电流平均整流Io为3A（DC），反向恢复时间trr为1.5μs，电容Vr F为19pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，Vr反向电压为400V，Ir反向电流为5uA，如果正向电流为2A，最大浪涌电流为35A，恢复时间为1.2us。
SE30AFGHM3/6B是DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC，包括1.1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计用于400V电压DC反向电压Vr Max，供应商设备包如数据表注释所示，用于DO-221AC，提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，系列设计用于汽车、AEC-Q101、，以及1.5μs的反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-221AC，SMA扁平引线，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@400V，电流平均整流Io为1.4A（DC），电容Vr F为19pF@4V，1MHz。
SE30AFG-M3/6B是DIODE GEN PURP 400V 1.4A DO221AC，包括19pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于1.4A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@400V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-221AC、SMA扁平引线封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.5μs反向恢复时间trr，设备具有自动AEC-Q101系列，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包为DO-221AC，电压DC反向Vr最大值为400V，电压正向Vf最大值为1.1V@3A。
