9icnet为您提供由Microchip Technology设计和生产的JATX1N5190，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。JATX1N5190参考价格13.64000美元。Microchip Technology JATX1N5190封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 3A AXIAL。您可以下载JATX1N5190英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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JATX1N5187是DIODE GEN PURP 200V 3A AXIAL，包括军用MIL-PRF-19500/424系列，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供B、轴向等包装箱功能，安装类型设计用于通孔以及轴向供应商设备包，该设备也可以用作快速恢复＝200mA（Io）速度。此外，二极管类型为标准型，器件提供2μA@200V电流反向泄漏Vr，器件具有1.5V@9A电压正向Vf Max If，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为200ns，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C。
JATX1N5186是DIODE GEN PURP 100V 3A AXIAL，包括1.5V@9A电压正向Vf Max。如果它们设计为在100V电压直流反向Vr Max下工作，速度如数据表注释所示，用于快速恢复=20mA（Io），提供军用、MIL-PRF-19500/424等系列功能，反向恢复时间trr设计为150ns，以及散装包装，该器件也可以用作B，轴向封装外壳，其工作温度结范围为-65°C~175°C，该器件采用通孔安装方式，该器件具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为2μa@100V，电流平均整流Io为3A。
JATX1N5188是DIODE GEN PURP 400V 3A AXIAL，包括3A电流平均整流Io，它们设计为在2μa@400V电流反向泄漏Vr下工作，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型特征，如通孔，安装类型设计为在通孔中工作，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可作为B轴封装外壳使用。此外，包装为散装，该设备提供250ns反向恢复时间trr，该设备具有军用MIL-PRF-19500/424系列，速度为快速恢复=20mA（Io），电压DC反向Vr Max为400V，电压正向Vf Max If为1.5V@9A。
