9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S2GHE3_A/H，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S2GHE3_A/H参考价格0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S2GHE3_A/H封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA。您可以下载S2GHE3_A/H英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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S2GHE3/5BT是DIODE GEN PURP 400V 1.5A DO214AA，包括切割胶带（CT）封装，它们设计用于DO-214AA SMB封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMB），速度设计用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），以及标准二极管类型，该器件也可以用作1μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.15V@1.5A，该设备提供400V电压直流反向Vr Max，该设备具有1.5A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为2μs，电容Vr F为16pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S2GHE3/55T，带有VISHAY制造的用户指南。S2GHE3/55T采用DO-214AA封装，是IC芯片的一部分。
S2GHE3/61T，带有VISHAY制造的电路图。S2GHE3/61T采用SMB封装，是IC芯片的一部分。
