9icnet为您提供由onsemi设计和生产的US1GFA,该产品在9icnet现场销售,可以通过原厂和代理商等渠道购买。美国1GFA价格参考值0.53000美元。onsemi US1GFA包装/规格:DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123FA。您可以下载US1GFA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1G-E3/61T是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC,包括US1x系列,它们设计用于超快速恢复整流器产品,包装如数据表注释所示,用于Digi-ReelR替代包装,提供零件别名功能,如US1G-E3/3AT,单位重量设计为0.003739盎司,以及SMD/SMT安装样式,该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外,安装类型为表面安装,设备在DO-214AC(SMA)供应商设备包中提供,设备具有单一配置,速度为快速恢复=20mA(Io),二极管类型为标准型,电流反向泄漏Vr为10μa@400V,电压正向Vf Max If为1V@1A,电压直流反向Vr Max为400V,电流平均整流Io为1A,反向恢复时间trr为50ns,电容Vr F为15pF@4V,1MHz,其工作温度结范围为-55°C~150°C,其最大工作温度范围为+150 C,其最小工作温度范围是-55 C,Vf正向电压为1 V,Vr反向电压为400 V,Ir反向电流为10uA,如果正向电流为1A,最大浪涌电流为30A,恢复时间为50ns。
US1GF,带有东芝/VISHAY制造的用户指南。US1GF采用SMAF封装,是IC芯片的一部分。
US1G-F,电路图由FITEON制造。US1G-F采用SMA封装,是二极管、整流器-单体的一部分。