该系列在大面积金属到硅功率二极管中采用肖特基势垒原理。
最先进的几何结构具有铬阻挡金属、氧化物钝化外延结构和金属重叠接触。非常适合用作低压、高频逆变器、续流二极管和极性保护二极管中的整流器。
文件中的其他数据表：1N5817、1N5818、1N5819
官方网站：http://w w.onsemi.com/PowerSolutions/product.do？编号：1N5818
特色
- Verysmall传导损失
- 可忽略的开关损耗
- 极快速切换
- 低正向压降
- 规定的雪崩能力
1N5818
- 描述:二极管种类: 肖特基 最大直流反向电压 (Vr): 30伏 整流平均值 (Io): 1A 供应商设备包装: DO-41 工作结温: 150摄氏度（最高）
- 品牌: 鲁光 (LGE)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 0.14857 | 0.14857 |
| 10+ | 0.11783 | 1.17835 |
| 30+ | 0.10075 | 3.02268 |
| 250+ | 0.08880 | 22.20125 |
| 500+ | 0.07991 | 39.95900 |
| 1000+ | 0.07513 | 75.13800 |
- 库存: 6940
- 单价: ¥0.14857
-
数量:
- +
- 总计: ¥0.15
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 二极管种类 肖特基
- 速度 快速恢复=＜500ns，＞200毫安（Io）
- 反向恢复时长 (trr) -
- 整流平均值 (Io) 1A
- 电容@Vr、法数 -
- 最大直流反向电压 (Vr) 30伏
- 最大正向压降 (Vf) @ 正向工作电流 (If) 500 mV @ 1 A
- 安装类别 通孔
- 包装/外壳 DO-204AL，DO-41，轴向
- 供应商设备包装 DO-41
- 工作结温 150摄氏度（最高）
- 反向漏电流 @ 直流反向电压 500 A @ 30 V
- 制造厂商 鲁光 (LGE)
- 特点 -
1N5818 产品详情
1N5818 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | 1N5618JAN | 先科电子 (Semtech) | 1N5618JAN | ¥52.22131 |
| 1N5806JAN | 先科电子 (Semtech) | 1N5806JAN | ¥63.73752 |
| 1N5614JAN | 先科电子 (Semtech) | 1N5614JAN | ¥68.37298 |
| 1N5943BRLG | 安盛美 (onsemi) | ZEN SUR30 REG 3W 56V | ¥0.86915 |
| 1N5310 BK | 中央半导体 (Central) | 1N5310 BK | ¥0.93219 |
 | 1N5655A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 70.1V 最大钳位电压: 113伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥105.49284 |
| 1N5635A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 10.2伏 最大钳位电压: 16.7伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥106.03606 |
 | 1N5555/TR | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 30.5伏 最大钳位电压: 47.5伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥113.85839 |
| 1N5630A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 6.4V 最大钳位电压: 11.3伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥126.24375 |
| 1N5632A | 微芯 (Microchip) | 种类: Zener 典型反向偏差电压: 7.78V 最大钳位电压: 13.4伏 供应商设备包装: DO-13 工作温度: -65摄氏度~175摄氏度（TJ） 安装类别: 通孔 | ¥126.24375 |
鲁光 (LGE)
鲁光电子科技有限公司（简称LGE）成立于2002年9月,是一家从事半导体器件研发、生产和销售的双高新企业，产品符合AEC-Q101标准。先后引进了10多条自动化生产线，具备规模化、系列化的封装测试能力，...
