9icnet为您提供由onsemi设计和生产的NSR02L30NXT5G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。NSR02L30NXT5G参考价格为0.51000美元。onsemi NSR02L30NXT5G包装/规格：DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DSN。您可以下载NSR02L30NXT5G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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NSR0240V2T5G是DIODE SCHOTTKY 40V 250MA SOD523，包括NSR0240V2 T1G系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）包装，包装箱如数据表注释所示，用于SC-79、SOD-523，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于SOD-523，以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作肖特基二极管型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@40V，该器件提供700mV@200mA电压正向Vf Max。如果，该器件具有40V电压反向Vr Max，电流平均整流Io为250mA（DC），反向恢复时间trr为3ns，电容Vr F为4pF@5V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
带有用户指南的NSR02F30MXT5G，包括600mV@200mA正向电压Vf Max。如果设计为在30V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于2-X3DFN（0.62x0.32）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=200mA（Io）等速度功能，包装设计为在磁带和卷轴（TR）中工作，以及2-XFDFN包装盒，其工作温度结范围为-55°C~125°C。此外，安装类型为表面安装，该器件为肖特基二极管类型，该器件具有50μa@30V的反向电流泄漏Vr，平均整流电流Io为200mA（DC）。
NSR02F30NXT5G是DIODE SCHOTTKY 30V 200MA 2DSN，包括200 mA正向电流，设计用于4 a Ifsm正向浪涌电流，Ir反向电流如数据表注释所示，用于50 uA，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于0201，以及卷筒包装，该器件也可以用作肖特基二极管产品。此外，该系列为NSR02F30NXT5G，该器件采用Si技术，该器件具有0.55V的Vf正向电压，Vrm重复反向电压为30V。
