9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N3611GP-E3/54，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N3611GP-E3/54参考价格为0.52000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N3611GP-E3/54封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载1N3611GP-E3/54英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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1N3611是DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于轴向，其工作温度范围为-65 C至+175 C，包装箱设计用于a、轴向以及通孔安装型，该设备也可以用作单一配置。此外，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），该器件为标准二极管类型，该器件具有1μa@200V电流反向泄漏Vr，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，其工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，它的最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为500 nA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为2 us。
1N3595US是DIODE GEN PURP 4A DO35，包括1V@200mA电压正向Vf Max。如果它们设计为与DO-35供应商设备包一起运行，速度如数据表注释所示，用于标准恢复>500ns，>200mA（Io），提供反向恢复时间trr功能，如3μs，包装设计为散装工作，以及DO-204AH、DO-35、轴向包装箱，其工作温度结范围为-65°C~150°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有1nA@125V电流反向泄漏Vr，平均整流电流Io为4A（DC）。
1N3600是DIODE GEN PURP 50V 200MA DO35，包括200MA电流平均整流Io，设计用于100nA@50V电流反向泄漏Vr，二极管类型如数据表注释所示，用于标准，提供安装类型功能，如通孔，其工作温度结范围为-65°C~175°C，以及DO-204AH、DO-35，轴向包装箱，该设备也可以用作散装包装。此外，反向恢复时间trr为4ns，设备以小信号=速度提供，设备具有DO-35供应商设备包，电压DC反向Vr Max为50V，电压正向Vf Max If为1V@200mA。
