9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BAV19-TR,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。BAV19-TR参考价格为0.17000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BAV19-TR封装/规格:DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35。您可以下载BAV19-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果你找不到你想要的,你可以通过电子邮件或在线信息联系我们,例如BAV19-TR价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
BAV19-TAP是DIODE GEN PURP 100V 250MA DO35,包括Automotive、AEC-Q101系列,它们设计为与磁带盒(TB)替代包装一起使用,包装箱如数据表注释所示,用于DO-204AH、DO-35、轴向,提供安装类型功能,如通孔,供应商设备包设计为在DO-35中工作,以及快速恢复=20mA(Io)速度,该器件也可以用作标准二极管类型。此外,电流反向泄漏Vr为100nA@100V,器件提供1V@100mA电压正向Vf Max。如果,器件具有100V电压反向Vr Max,电流平均整流Io为250mA(DC),反向恢复时间trr为50ns,电容Vr F为1.5pF@0V,1MHz,其工作温度结范围为175°C(Max)。
BAV19TR是DIODE GEN PURP 120V 200MA DO35,包括1.25V@200MA正向电压Vf Max。如果它们设计为在120V电压DC反向Vr Max下运行,则数据表说明中显示了用于DO-35的供应商设备包,该DO-35提供速度特性,如小信号=、反向恢复时间trr设计为在50ns内工作,除了切割胶带(CT)替代包装外,该器件还可以用作DO-204AH、DO-35轴向包装盒,其工作温度结范围为175°C(最大值),该器件采用通孔安装型,该器件具有二极管型标准,电流反向泄漏Vr为100nA@100V,电流平均整流Io为200mA,并且电容Vr F在0V、1MHz时为5pF。
BAV199WQ-7,电路图由DIODES ZETEX制造。BAV199WQ-7采用SOT323封装,是IC芯片、二极管阵列1对串联连接标准85V 140mA(DC)表面贴装SC-70、SOT-323、二极管小信号开关85V 0.16A汽车用3引脚SOT-323 T/R的一部分。