9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的SE10PJ-M3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SE10PJ-M3/84A参考价格为0.49000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division SE10PJ-M3/84A封装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA。您可以下载SE10PJ-M3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SE10PJHM3/85A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，包装箱如数据表注释所示，用于DO-220AA，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于DO-220A（SMP），以及标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度，该设备也可以用作标准二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为5μA@600V，该器件提供1.05V@1A电压正向Vf Max。如果，该器件具有600V电压直流反向Vr Max，平均整流电流Io为1A，反向恢复时间trr为780ns，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
带有用户指南的SE10PJHM3/87A，包括1.05V@1A电压正向Vf Max。如果设计为在600V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-220AA（SMP）中使用的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计用于eSMPR，以及780ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，装置具有安装型表面安装，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为1A。
SE10PJ-E3/85A是DIODE GEN PURP 600V 1A DO220AA，包括1A电流平均整流Io，它们设计为在600V电流反向泄漏Vr下工作5μa，二极管类型如数据表注释所示，用于标准中，该标准提供了表面安装等安装类型功能，其工作温度结范围为-55°C~175°C，以及DO-220AA封装外壳，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，反向恢复时间trr为780ns，该设备采用eSMPR系列，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商设备包为DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.05V@1A。
