9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的S3M-E3/9AT，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S3M-E3/9AT参考价格为0.56000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division S3M-E3/9AT封装/规格：DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB。您可以下载S3M-E3/9AT英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S3M-E3/57T是DIODE GEN PURP 1KV 3A DO214AB，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，数据表注释中显示了用于S3M-E3/9AT的零件别名，该产品提供单位重量功能，如0.010582盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-214AB，SMC包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-214AB（SMC），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μa@1000V，电压正向Vf Max If为1.15V@2.5A，电压直流反向Vr Max为1000V（1kV），电流平均整流Io为3A，反向恢复时间trr为2.5μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，2.5A时Vf正向电压为1.15 V，Vr反向电压为1000 V，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为100A，恢复时间为2500ns。
带有MIC制造的用户指南的S3MC。S3MC采用SMC封装，是IC芯片的一部分。
S3M-E3，带有VISHAY制造的电路图。S3M-E3采用SMC封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
