9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的AR1PJ-M3/84A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AR1PJ-M3/84A参考价格为0.47000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division AR1PJ-M3/84A封装/规格：DIODE-AVALANCHE 600V 1A DO220AA。您可以下载AR1PJ-M3/84A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AR1PJHM3/84A是DIODE AVLANCHE 600V 1A DO220AA，包括eSMPR系列，它们设计用于快速恢复整流器产品。数据表说明中显示了用于磁带和卷轴（TR）替代包装的包装，提供单位重量功能，如0.000705盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及DO-220AA包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为DO-220AA（SMP），该设备以快速恢复=20mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@600V，正向电压Vf Max If为1.25V@1A，直流反向电压Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为140ns，电容Vr F为12.5pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~175℃，最大工作温度范围为+175℃，Vf正向电压为1.25 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为1 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为30 A，恢复时间为140 ns。
带有用户指南的AR1PG-M3/85A，包括1.25V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计用于400V电压直流反向Vr Max，则数据表说明中显示了用于DO-220AA（SMP）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度特性，该系列设计用于eSMPR，以及140ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为DO-220AA，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为1μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为12.5pF@4V，1MHz。
带有电路图的AR1PJHM3/85A，包括12.5pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@600V，提供雪崩等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作DO-220AA封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR）交替包装，设备提供140ns反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-220AA（SMP），直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1.25V@1A。
