9icnet为您提供由onsemi设计和生产的US1JFA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。美国1JFA参考价格为0.44000美元。onsemi US1JFA包装/规格：DIODE GEN PURP 600V 1A SOD123FA。您可以下载US1JFA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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US1J-E3/61T是DIODE GEN PURP 600V 1A DO214AC，包括US1x系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供零件别名功能，如US1J-E3/5AT，单位重量设计为0.003739盎司，以及SMD/SMT安装样式，该装置也可以用作DO-214AC、SMA包装盒。此外，安装类型为表面安装，该设备在DO-214AC（SMA）供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为快速恢复=20mA（Io），二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电压正向Vf Max If为1.7V@1A，电压反向Vr Max为600V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~150°C，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vf正向电压为1.7 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为10uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
US1JE-TP是DIODE GEN PURP 600V 1A SMAE，包括1.7V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了SMAE中使用的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为75ns、，除了Digi-ReelR替代封装外，该器件还可以用作DO-214AC、SMA封装盒，其工作温度结范围为-50°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为10μa@600V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为17pF@4V，1MHz。
US1JF，电路图由东芝/VISHAY制造。US1JF采用SMAF封装，是二极管、整流器-单体的一部分。
