9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N4003E-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4003E-E3/73参考价格为0.35000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N4003E-E3/73包装/规格：DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL。您可以下载1N4003E-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如1N4003E-E3/73价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
1N4003-E3/73是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL，包括标准回收整流器产品，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，零件别名如数据表注释所示，用于1N4003-E3/54，提供单位重量功能，如0.010935盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AL、DO-41，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AL（DO-41），该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-55°C ~ 150°C，最大工作温度范围为+150°C，最小工作温度范围-50°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1 A，最大浪涌电流为45 A。
1N4003E-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1.1V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压直流反向Vr Max，该200V提供1.1 V正向电压特性，单位重量设计为0.010935盎司，以及DO-204AL（DO-41）供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该产品为标准回收整流器，该设备采用胶带和卷筒（TR）交替包装包装，该设备具有DO-204AL、DO-41，包装箱轴向，其工作温度接合范围为-55°C~150°C，安装类型为通孔，其最低工作温度范围为-50°C，最大浪涌电流为45 A，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μA@200V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
1N4003E-E3/53是DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AL，包括15pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于单配置，数据表说明中显示了用于1A的电流平均整流Io，该1A提供电流反向泄漏Vr特性，例如5μa@200V，二极管类型设计用于标准，以及1 a如果正向电流，该装置也可作为5 uA Ir反向电流使用，其最大工作温度范围为+150℃，该装置的最大浪涌电流为45 A，其最小工作温度范围是-50℃，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其工作温度结范围为-50℃~150℃，包装箱为DO-204AL，DO-41，轴向，包装为磁带盒（TB），产品为标准恢复整流器，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为DO-204AL（DO-41），单位重量为0.010935 oz，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，Vr反向电压为200V。
