9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的MSE1PG-M3/89A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。MSE1PG-M3/89A价格参考值0.40000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division MSE1PG-M3/89A封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP。您可以下载MSE1PG-M3/89A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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MSE1PD-M3/89A是DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP，包括eSMPR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表说明所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.000212盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及MICROSMP包装盒，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为MicroSMP，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间>500ns，速度>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μa@200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为780ns，电容Vr F为5pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为20A，恢复时间为780ns。
MSE1PGHM3/89A是DIODE GEN PURP 400V 1A MICROSMP，包括400 V Vr反向电压，它们设计为在1.1 V@1A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了用于400V的电压直流反向Vr Max，提供1.016 V等Vf正向电压功能，单位重量设计为0.000212盎司，以及MICROSMP供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为eSMPR，该设备提供780ns反向恢复时间trr，该设备具有780ns的恢复时间，产品为标准恢复整流器，包装为磁带和卷轴（TR），包装箱为MicroSMP，其工作温度结范围为-55°C~175°C，安装样式为SMD/SMT，安装类型为表面安装，它的最小工作温度范围为-55 C，最大浪涌电流为20 A，最大工作温度范围+175 C，Ir反向电流为1 uA，如果正向电流为1 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为1μA@400V，电流平均整流Io为1A，配置为单一，电容Vr F为5pF@4V，1MHz。
MSE1PDHM3/89A是DIODE GEN PURP 200V 1A MICROSMP，包括5pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供二极管类型的功能，如标准，如果正向电流设计用于1A，以及20 a最大浪涌电流，该装置也可以用作表面安装型。此外，安装类型为SMD/SMT，其工作温度结范围为-55°C~175°C，设备具有封装盒的MicroSMP，封装为磁带和卷轴（TR），恢复时间为780 ns，反向恢复时间trr为780ns，系列为eSMPR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备封装为MicroSMP，单位重量为0.000212盎司，Vf正向电压为1.1V，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，Vr反向电压为200V。
