9icnet为您提供由Comchip Technology设计和生产的CSFMT106-HF，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSFMT106-HF参考价格为0.44000美元。Comchip Technology CSFMT106-HF封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A SOD123H。您可以下载CSFMT106-HF英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSFMT104-HF是DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123H，包括CSFMT104系列，它们设计用于快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于Digi-ReelR替代包装，提供单位重量功能，如0.001058盎司，安装样式设计用于SMD/SMT，以及SOD-123H包装箱，该装置也可以用作表面安装型。此外，供应商设备包为SOD-123H，该设备以快速恢复=200mA（Io）速度提供，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为950mV@1A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为35ns，电容Vr F为10pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55℃~150℃，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，Vf正向电压为1.3V，Vr反向电压为200V，Ir反向电流为100uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为25A，恢复时间为250ns。
CSFMT103-HF是DIODE GEN PURP 150V 1A SOD123H，包括950mV@1A电压正向Vf Max。如果设计为在150V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于SOD-123H的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）、反向恢复时间trr设计为35ns、，除了磁带和卷轴（TR）封装外，该器件还可以用作SOD-123H封装盒，其工作温度结范围为-55°C~150°C，该器件为表面安装安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@150V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
CSFMT105-HF是DIODE GEN PURP 300V 1A SOD123H，包括10pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@300V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，该装置也可用作SOD-123H包装箱。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供35ns反向恢复时间trr，设备速度快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为SOD-123H，电压DC反向Vr最大值为300V，电压正向Vf最大值为1.25V@1A。
