9icnet为您提供由onsemi设计和生产的1N4006FG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N4006FG参考价格为0.39000美元。onsemi 1N4006FG包装/规格：DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL。您可以下载1N4006FG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N4006E-E3/73是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AL，包括标准回收整流器产品，它们设计为使用磁带盒（TB）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.010935盎司，具有通孔等安装方式特征，包装箱设计用于DO-204AL、DO-41、轴向、，该设备也可以用作DO-204AL（DO-41）供应商设备包。此外，该配置为单一配置，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，它的工作温度结范围为-55°C~150°C，最大工作温度范围为+150°C。它的最小工作温度范围是-50°C，Vf正向电压为1.1 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为5 uA，If正向电流为1 A，最大浪涌电流为45 A。
1N4006FF是DIODE GEN PURP 800V 1A DO41，包括1.1V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-41中使用的供应商设备包，该DO-41提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），轴向包装箱，其工作温度范围为-65°C~175°C。此外，安装类型为通孔，该器件为标准二极管类型，该器件具有10μa@800V电流反向泄漏Vr，电流平均整流Io为1A。
1N4006F M6（带电路图）1N4006F M6在SMAF封装中提供，是IC芯片的一部分。
