9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5402-E3/73，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5402-E3/73参考价格为0.55000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5402-E3/73封装/规格：DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD。您可以下载1N5402-E3/73英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5402-E3/54是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括1N54xx系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供零件别名功能，如1N5402-E3/73，单位重量设计为0.038801盎司，以及通孔安装样式，该装置也可用作DO-201AD轴向包装箱。此外，安装类型为通孔，该设备在DO-201AD供应商设备包中提供，该设备具有单一配置，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@200V，电压正向Vf Max If为1.2V@3A，电压直流反向Vr Max为200V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为30pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-50°C~150°C，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-50 C，Vf正向电压为1.2 V，Vr反向电压为200 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为200A。
1N5402-B是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括200V Vr反向电压，它们设计为在1V@3A电压正向Vf Max下工作。如果数据表注释中显示了200V中使用的电压DC反向Vr Max，提供1V正向电压功能，单位重量设计为0.038801盎司，以及DO-201AD供应商设备包，该设备还可以用作标准恢复>500ns，>200mA（Io）速度。此外，该系列为1N54，该装置在标准回收整流器产品中提供，该装置具有散装包装，包装箱为DO-201AD，轴向，其工作温度接合范围为-65°C~150°C，安装类型为通孔，安装类型是通孔，其最低工作温度范围为-65C，最大浪涌电流为200 A，其最大工作温度范围为+150 C，Ir反向电流为10 uA，如果正向电流为3 A，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为10μA@200V，电流平均整流Io为3A，配置为单一，电容Vr F为50pF@4V，1MHz。
1N5402-E3/51是DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD，包括30pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@200V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它具有-50°C~150°C的工作温度连接范围，该设备也可以用作DO-201AD，轴向封装外壳。此外，包装为散装替代包装，该设备的标准恢复时间>500ns，>200mA（Io）速度，该设备具有DO-201AD供应商设备包装，电压DC反向Vr Max为200V，电压正向Vf Max If为1.2V@3A。
