9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的S1GB-13-F，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。S1GB-13-F参考价格为0.38000美元。Diodes Incorporated S1GB-13-F封装/规格：DIODE GEN PURP 400V 1A SMB。您可以下载S1GB-13-F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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S1GA-E3/61T是DIODE GEN PURP 400V 1A DO214AC，包括磁带和卷轴（TR）封装，它们设计用于DO-214AC、SMA封装盒，安装类型如数据表注释所示，用于表面安装，提供供应商设备封装功能，如DO-214AA（SMA），速度设计用于标准恢复>500ns、>200mA（Io）以及标准二极管类型，该器件也可以用作3μA@400V电流反向泄漏Vr。此外，电压正向Vf Max If为1.1V@1A，该设备提供400V电压直流反向Vr Max，该设备具有1A的电流平均整流Io，反向恢复时间trr为1μs，电容Vr F为8pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 150°C。
S1GB-13是DIODE GEN PURP 400V 1A SMB，包括1.1V@1A电压正向Vf Max。如果它们设计为与400V电压直流反向Vr Max一起工作，则数据表说明中显示了用于SMB的供应商设备包，该设备提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），反向恢复时间trr设计为在3μs内工作，以及Digi-ReelR封装，该器件也可以用作DO-214AA、SMB封装盒，其工作温度结范围为-65°C~150°C，该器件为表面安装型，该器件具有二极管型标准，电流反向泄漏Vr为5μa@400V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为10pF@4V，1MHz。
S1GB是由台湾半导体制造的“整流器1A”。S1GB采用SMB封装，是二极管、整流器-阵列的一部分，并支持“整流器1A、整流器1A、400V、Glass Pass SMB Rect”。
