9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的BYV26D-TAP，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。BYV26D-TAP参考价格为0.72000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division BYV26D-TAP封装/规格：DIODE AVLANCHE 800V 1A SOD57。您可以下载BYV26D-TAP英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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BYV26DGP-E3/73是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于超快速恢复整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.012346盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-204AC、DO-15，轴向包装箱，该装置也可作为通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-204AC（DO-15），该设备为单配置，设备速度快速恢复=200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电压正向Vf Max If为2.5V@1A，电压直流反向Vr Max为800V，电流平均整流Io为1A，反向恢复时间trr为75ns，电容Vr F为15pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C~175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-65 C，Vf正向电压为2.5 V，Vr反向电压为800 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为1A，最大浪涌电流为30A，恢复时间为75ns。
BYV26DGPHE3/54是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括2.5V@1A正向电压Vf Max。如果它们设计为在800V电压DC反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于DO-204AC（DO-15）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，以及75ns反向恢复时间trr，该设备也可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-204AC，DO-15，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@800V，电流平均整流Io为1A，电容Vr F为15pF@4V，1MHz。
BYV26DGPHE3/73是DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC，包括15pF@4V，1MHz电容Vr F，它们设计用于1A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于5μa@800V，提供二极管类型功能，如标准，安装类型设计用于通孔，它的工作温度范围为-65°C~175°C，该装置也可用于DO-204AC、DO-15、轴向封装外壳。此外，包装为磁带盒（TB），该设备以75ns反向恢复时间trr提供，该设备具有串联的SUPERECTIERR，速度为快速恢复=20mA（Io），供应商设备包装为DO-204AC（DO-15），电压DC反向Vr最大值为800V，电压正向Vf最大值为2.5V@1A。
