9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的1N5626-TR，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。1N5626-TR价格参考1.09000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division 1N5626-TR封装/规格：DIODE-AVALANCHE 600V 3A SOD64。您可以下载1N5626-TR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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1N5626GP-E3/54是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括SUPERCTIFIERR系列，它们设计用于标准回收整流器产品，包装如数据表注释所示，用于切割胶带（CT）替代包装，提供单位重量功能，如0.038801盎司，安装样式设计用于通孔，以及DO-201AD轴向包装箱，该装置也可以用作通孔安装型。此外，供应商设备包为DO-201AD，该设备为单配置，该设备的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），二极管类型为标准，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，正向电压Vf Max If为1V@3A，直流反向电压Vr Max为600V，平均整流电流Io为3A，反向恢复时间trr为3μs，电容Vr F为40pF@4V，1MHz，工作温度结范围为-65°C ~ 175°C，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围是-65 C，Vf正向电压为1 V，Vr反向电压为600 V，Ir反向电流为5 uA，如果正向电流为3A，最大浪涌电流为125A，恢复时间为3000ns。
1N5626GPHE3/54是DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD，包括1V@3A正向电压Vf Max。如果它们设计为在600V直流反向电压Vr Max下运行，则数据表说明中显示了DO-201AD中使用的供应商设备包，其提供速度特性，如标准恢复>500ns，>200mA（Io），该系列设计为在SUPERECTFIERR中工作，除了3μs反向恢复时间trr，该设备还可以用作磁带和卷轴（TR）包装。此外，封装外壳为DO-201AD，轴向，其工作温度结范围为-65°C~175°C，装置具有安装型通孔，二极管类型为标准型，电流反向泄漏Vr为5μa@600V，电流平均整流Io为3A，电容Vr F为40pF@4V，1MHz。
1N5626-TAP是二极管AVLANCHE 600V 3A SOD64，包括60pF@4V，1MHz电容Vr F，设计用于3A电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于1μa@200V，提供雪崩等二极管类型功能，安装类型设计用于通孔，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可以用作SOD-64轴向封装外壳。此外，包装为磁带盒（TB），该器件提供7.5μs反向恢复时间trr，该器件的标准恢复时间大于500ns，速度大于200mA（Io），供应商器件包装为SOD-64，直流反向电压Vr最大值为600V，正向电压Vf最大值为1V@3A。
