9icnet为您提供由Vishay General Semiconductor-Diodes Division设计和生产的AS4PD-M3/86A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。AS4PD-M3/86A参考价格为0.76000美元。Vishay General Semiconductor-Diodes Division AS4PD-M3/86A封装/规格：DIODE-AVALANCHE 200V 2.4A TO277A。您可以下载AS4PD-M3/86A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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AS4PDHM3_A/H是DIODE AVLANCHE 200V 2.4A TO277A，包括Automotive、AEC-Q101、eSMPR系列，它们设计用于磁带和卷轴（TR）交替包装包装，数据表说明中显示了用于to-277、3-PowerDFN的包装盒，提供表面安装等安装类型功能，供应商设备包设计用于to-277A（SMPC），以及快速恢复=20mA（Io）速度，该器件也可以用作雪崩二极管类型。此外，电流反向泄漏Vr为10μA@200V，该器件提供1.1V@4A电压正向Vf Max If，该器件具有200V电压直流反向Vr Max，电流平均整流Io为2.4A，反向恢复时间trr为1.8μs，电容Vr F为60pF@4V，1MHz，其工作温度结范围为-55°C ~ 175°C。
AS4PDHM3_A/I带用户指南，包括1.1V@4A电压正向Vf Max。如果设计为在200V电压直流反向Vr Max下运行，则数据表说明中显示了用于to-277A（SMPC）的供应商设备包，该设备提供快速恢复=20mA（Io）等速度功能，该系列设计用于汽车、AEC-Q101、eSMPR以及1.8μs反向恢复时间trr，该设备也可以用作胶带和卷筒（TR）替代包装包装。此外，封装外壳为TO-277，3-PowerDFN，其工作温度结范围为-55°C~175°C，器件具有安装型表面安装，二极管类型为雪崩，电流反向泄漏Vr为10μa@200V，电流平均整流Io为2.4A，电容Vr F为60pF@4V，1MHz。
AS4PDHM3/87A，带电路图，包括60pF@4V、1MHz电容Vr F，它们设计用于2.4A（DC）电流平均整流Io，电流反向泄漏Vr如数据表注释所示，用于10μa@200V，提供雪崩等二极管类型功能，安装类型设计用于表面安装，它的工作温度结范围为-55°C~175°C，该器件也可用作TO-277，3-PowerDFN封装盒。此外，包装为磁带和卷轴（TR），设备提供1.8μs反向恢复时间trr，设备具有系列eSMPR，速度为标准恢复>500ns，>200mA（Io），供应商设备包装为TO-277A（SMPC），电压直流反向Vr最大值为200V，电压正向Vf最大值为962mV@2A。
